探頭

光功率計（光強度計）選型指南

· 光電二管探頭: 這些探頭設(shè)計用于單色光源或近單色光源的功率測量，因為它們具有波長相關(guān)響應(yīng)。這些探頭根據(jù)輸入光功率和波長輸出電流。電流輸入到跨阻放大器中，該放大器輸出一個正比于輸入電流的電壓。

· 熱功率探頭: 這些熱電堆探頭由在超寬波長范圍內(nèi)光譜響應(yīng)相對平坦的材料制成，它們適用于寬帶光源（例如LED和SLD）的功率測量。熱功率探頭的輸出電壓與輸入光功率成正比。

· 熱釋電能量計探頭: 我們的熱釋電探頭通過熱釋電效應(yīng)產(chǎn)生一個輸出電壓，適合測量脈沖光源，重復(fù)率被探測器的時間常數(shù)限制。這些探頭輸出與輸入脈沖能量成正比的峰值電壓。

1.1

光電二管功率探頭

Detector Type	Sensor Family	Applications	Item #	Wavelength	Energy or Power Range	Detector Type	Aperture	Response Time
探頭	標準探頭	General Purpose Power Measurements	S120VC	200 - 1100 nm	50 nW - 50 mW	Si	Ø9.5 mm	<1 µs^a
			S120C	400 - 1100 nm	50 nW - 50 mW		Ø9.5 mm
			S121C	400 - 1100 nm	500 nW - 500 mW		Ø9.5 mm
			S122C	700 - 1800 nm	50 nW - 40 mW	Ge	Ø9.5 mm
	細長探頭	Power Measurements in Tight Spaces	S130VC	200 - 1100 nm	Dual Range: 5 nW - 5 mW or 50 nW - 50 mW	Si Slim	Ø9.5 mm
			S130C	400 - 1100 nm	Dual Range: 500 pW - 5 mW or 100 µW - 500 mW	Si Slim	Ø9.5 mm
			S132C	700 - 1800 nm	Dual Range: 5 nW - 5 mW or 100 µW - 500 mW	Gi Slim	Ø9.5 mm
	顯微鏡探頭	Measure Power at the Sample Plane of a Microscope	S170C	350 - 1100 nm	10 nW - 150 mW	Si Large Area	18 mm x 18 mm
	積分球探頭	Power Measurements for High Powers and Divergent Beams	S140C	350 - 1100 nm	1 µW - 500 mW	Si Integrating	Ø5 mm
			S142C	350 - 1100 nm	5 µW - 5 W	Si Integrating	Ø12 mm
			S144C	800 - 1700 nm	100 nW - 500 mW	InGaAs Integrating	Ø5 mm
			S145C	800 - 1700 nm	1 µW - 3 W		Ø12 mm
			S146C	900 - 1650 nm	10 µW - 20 W		Ø12 mm
			S148C	1200 - 2500 nm	1 µW - 1 W		Ø5 mm
			S180C	2900 - 5500 nm	1 µW - 3 W	MCT (HgCdTe)	Ø7 mm
	光纖探頭	Fiber Power Measurements and Field Applications	S150C	350 - 1100 nm	100 pW - 5 mW	Si Fiber	Ø5 mm
			S151C	400 - 1100 nm	1 nW - 20 mW	Si Fiber	Ø5 mm
			S154C	800 - 1700 nm	100 pW - 3 mW	InGaAs Fiber	Ø5 mm
			S155C	800 - 1700 nm	1 nW - 20 mW	InGaAs Fiber

a. 光電二管探頭的響應(yīng)時間。使用這些探頭的功率計的實際響應(yīng)時間受到您的功率計表頭的更新頻率所限制。

1.2

熱功率探頭

Detector Type	Sensor Family	Applications	Item #	Wavelength	Energy or Power Range	Detector Type	Aperture	Response Time
熱功率探頭	寬范圍探頭	General Broadband Optical Power Measurements	S302C	190 nm - 25.0 µm	100 µW - 2 W	Stabilized Thermal Absorber	Ø12 mm	3 s^b
			S310C	190 nm - 25.0 µm	10 mW - 10 W	Thermal Surface Absorber	Ø20 mm	<1 s^b
			S314C	190 nm - 11.0 µm	10 mW - 40 W		Ø25 mm	<1 s^b
			S322C	250 nm - 11.0 µm	100 mW - 200 W		Ø25 mm	1 s^b
	小型探頭	Power Measurements in Tight Spaces	S305C	190 nm - 25.0 µm	10 mW - 5 W		Ø10 mm	<1 s^b
	高靈敏度探頭	Broadband Optical Power Measurements Down to 10 µW	S401C	190 nm - 20.6 µm	10 µW - 1 W (3W)^c	Stabilized Thermal Volume Absorber	Ø10 mm	<1 s^b
	顯微探頭	Measure Power at the Sample Plane of a Microscope	S175C	300 nm - 10.6 µm	100 µW - 2 W	Thermal Volume Absorber	18 mm x 18 mm	<2 s
	激光器熱探頭	Applications with High Peak Powers or YAG or Excimer Lasers	S350C	190 nm - 1.1 µm and 10.6 µm	10 mW - 40 W	Thermal Surface Absorber	Ø40 mm	1 s^b
			S370C	400 nm - 5200 nm	10 mW - 10 W	Thermal Volume Absorber	Ø25 mm	3 s^b
			S470C	250 nm - 10.6 µm	100 µW - 5 W	Thermal Volume Absorber	Ø15 mm	<2 s^b

a. 對于熱功率探頭，響應(yīng)時間受探頭材料限制。熱功率探頭和功率計表頭設(shè)計成在探頭的單個時間常數(shù)之后就能確定入射功率。因此，相比于其它熱功率探頭，我們的C系列熱功率探頭具有相對短的響應(yīng)時間。

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